据ETNews报导，苹果公司正在开发多项技能创新以留念 iPhone 诞生 20 周年，而其正在考虑的一项要害技能是移动高带宽内存 (HBM)。HBM 是一种 DRAM，它将内存芯片笔直堆叠，并经过称为“硅通孔 (TSV)”的微型笔直互连技能连接起来，然后明显提高信号传输速度。

  HBM 现在大多数都用在 AI 服务器，因为可以与 GPU 协同支撑 AI 处理，因而一般被称为 AI 内存。

  望文生义，移动 HBM 是移动电子设备技能的一种变体，旨在供给极高的数据吞吐量，一起最大极限地下降功耗和 RAM 芯片的物理占用空间。苹果正在寻求增强设备上的 AI 功用，据ETNews报导，将移动 HBM 连接到 iPhone 的 GPU 单元被认为是完成这一方针的有力候选方案。

  该技能或许是在设备上运转大规模人工智能模型的要害，例如大型言语模型推理或高档视觉使命，而不会耗尽电池或添加推延。

  报导指出，苹果或许已与三星电子和 SK 海力士等首要内存供货商评论了其方案，这两家公司都在开发自己的移动 HBM 版别。

  据报导，三星正在运用一种名为 VCS（笔直铜柱堆叠）的封装办法，而 SK 海力士正在研讨一种名为 VFO（笔直线扇出）的封装办法。两家公司都方案在 2026 年后完成量产。

  不过，制作方面仍然存在应战。移动HBM的制作本钱远高于现在的LPDDR内存。在iPhone等轻浮设备中，它还或许面对散热约束，并且3D堆叠和TSV技能需求高度杂乱的封装和良率办理。

  假如苹果的确在其 2027 年 iPhone 系列中选用这项技能，这将是该公司打破其 20 周年留念版 iPhone 极限的又一例子，据传这款 iPhone 将选用彻底无边框的显示屏，盘绕设备的一切四个边际曲折。

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